台积电：3nm芯片将在今年下半年量产 客户产品明年问世

发布时间：2025-07-07 06:00:53 来源：民心不壹网 作者：焦点

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经济观察网 记者 沈怡然 8月18日，户产台积电（中国）有限公司副总监陈芳在2022年世界半导体大会上表示，台积N3（又称3nm）芯片将在今年下半年量产，芯下半已经对部分移动和HPC（高性能计算）领域的片将品明客户交付，如果有手机的今年客户当下采用3nm芯片，明年产品就能问世。年量年问

台积电已经占据了全球一半以上的产客芯片产能，尤其在14nm及以下的户产先进芯片领域。目前唯一能与台积电在先进技术上竞争的台积是三星电子。根据彭博社报道，三星电子也表示在今年下半年量产3nm芯片，但尚未有客户交付的消息。

3nm技术已经是全球半导体的“无人区”。按照台积电技术路线图，3nm芯片的上一代是5nm芯片，台积电5nm芯片已在2020年量产。相较于5nm，3nm芯片的晶圆密度高出1.3倍，在相同速度下功耗降低30-35%，在相同功耗下速度提升15-20%。由于3nm具有显著的速度和功耗提升，该公司发现很多来自移动和HPC的客户都在积极采用，该公司预计3nm的NTO（New Tape Out，指新产品流片）是同一时期5nm的两倍。

根据台积电提供的技术路线图，在N3之后，该公司会继续推出N3E、N3P、N3X三个版本，例如：N3E是N3芯片的加强版，也将为智能手机和HPC应用提供完整的平台支持。台积电在今年二季度财报会上表示，N3E的客户参与度很高，批量生产计划将在N3之后的1年左右进行，预计这三个版本会陆续在2025年之前进入量产。

陈芳表示，3nm系列的创新主要在于这种工艺使用了FINFLEX技术，可以在提升密度的情况下维持速度和功耗的平衡。

台积电2nm芯片也在规划中，陈芳表示，相较于N3E，2nm元件在相同功耗下会有10%-15%速度提升，在相同速度下会有25%-30%的功耗降低，晶元密度高出1.1倍，2nm芯片预计在2025年进入量产。

台积电（中国）有限公司技术总监陈敏在会上表示，台积电依然在加大全球化的生产布局。根据公开资料，3nm、2nm的生产位于中国台湾的新竹和台南地区。总体上看，台积电7nm及以下的先进制程芯片产能分布于中国台湾和美国地区，相对成熟的芯片制程分布在中国台湾、中国南京和日本地区。

产能扩张的速度在加快，台积电（南京）有限公司经理苏华表示，自2020年起台积电每年新建工厂数量从2座增加为6座，其中不仅是先进芯片，台积电如今也在大力扩充成熟芯片的产能。

半导体技术沿着摩尔定律向前演进，台积电正在投入的2nm代表着全球走在最前沿的芯片技术，但这并不意味着成熟芯片将会被淘汰。陈敏表示，在AI和5G的加持下，半导体被汽车、工业等更多行业海量使用，这些行业不只采用先进芯片，对成熟芯片的需求也在增加。所以台积电的策略是，持续研发最先进的工艺，为客户提供最先进的芯片，同时也增加成熟制程芯片的投资。

陈敏表示，由于疫情、地缘政治影响，供应链管理变得愈加重要，更多客户通过调整库存方式增加供应链灵活度，但也需要在增加供应链灵活度和增加成本之间取得一个平衡。而与供应链齐心合作，也是台积电一直以来成功的秘诀，台积电的态度依然是和客户建立长期合作伙伴关系，这一点不会发生变化。

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